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Auteur :  Omnes , Franck , 19..-.... Titre :  Elaboration par Lp-mocvd du système GaAs-Gainp : application aux composants , Franck Omnes ; sous la dir. de Julien Bok Editeur :  [S.l.] , [s.n.] -- 1993 Description :  63 f. : ill., tabl. ; 30 cm Notes :  170 REF. Notes bibliogr. 1993PA066194 Publication autorisée par le jury Thèse de doctorat Physique du solide Paris 6 1993 Le système d'alliages GaAs-Ga0.51in0.49p est particulièrement intéressant pour ses nombreuses applications potentielles aux composants électroniques et optoélectroniques, le plus souvent en remplacement du système GaAs-GaAlAs classiquement utilisé dans ces domaines d'application. Le présent mémoire fait état des travaux de recherches réalisés au laboratoire central de recherches de Thomson-csf sur ces matériaux. L'élaboration et l'optimisation des conditions de croissance des alliages GaAs et Gainp par la technique d'épitaxie en phase vapeur mettant en oeuvre les organométalliques (low pressure metalorganic chemical vapor deposition ou mocvd), l'étude des principales propriétés physiques des hétéro jonctions et puits quantiques à base de GaAs-Ga0.51in0.49p ainsi que les divers composants réalisés dans le cadre de cette étude (transistors et lasers) y font l'objet d'une description détaillée. Le mémoire est constitué, pour sa partie essentielle, des publications associées à ces travaux Sujet :  Semiconducteurs -- Thèses et écrits académiques Couches minces semiconductrices -- Thèses et écrits académiques Fluides, Mécanique des -- Thèses et écrits académiques Semiconducteurs à l'arséniure de gallium -- Thèses et écrits académiques Composés organométalliques -- Thèses et écrits académiques Phosphure d'indium -- Thèses et écrits académiques   Exemplaires Site Emplacement Cote Type de prêt Statut   Ensea Archives ARCH-GF-2125 Empruntable (archivé)

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