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Auteur :
Cressler , John D.
Niu , Guofu
Titre :
Silicon-germanium heterojunction bipolar transistors , John D. Cressler, Guofu Niu
Editeur :
Boston London , Artech House -- cop. 2003
Description :
1 vol. (xviii-570 p.) : ill. ; 24 cm
ISBN:
1-580-53361-2 , rel.
Notes :
Notes bibliogr. en fin de chapitre. Index.
Sujet :
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Transistors bipolaires
Germanium
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Emplacement
Cote
Type de prêt
Statut
Ensea
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