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Semiconductors -- Defects
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par auteur:
Jones , R. , Ph. D
NATO Advanced Research Workshop on Early Stages of Oxygen Precipitation in Silicon . 1996 . Exeter, England
Organisation du traité de l'Atlantique nord
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Affichage MARC
Auteur :
Organisation du traité de l'Atlantique nord
Titre :
Early stages of oxygen precipitation in silicon , edited by R. Jones
Editeur :
Dordrecht Boston , Kluwer Academic -- c1996
Description :
1 vol.(xviii, 530 p.) : ill ; 25 cm
Collection :
NATO ASI series . Partnership sub-series 3 . High technology ; vol. 17
ISBN:
0-7923-4296-8 , HB : acid-free paper
978-0-7923-4296-0 , HB : acid-free paper
Notes :
"Proceedings of the NATO Advanced Research Workshop on Early Stages of Oxygen Precipitation in Silicon, Exeter, UK, March 26-29, 1996"--T.p. verso
"Published in cooperation with NATO Scientific Affairs Division."
Bibliograpr. ref. Index
Sujet :
Silicon crystals -- Defects -- Congresses
Silicium -- Teneur en oxygène -- Actes de congrès
Silicium cristallisé -- Défauts -- Actes de congrès
Silicon -- Oxygen content -- Congresses
Semiconducteurs -- Défauts -- Actes de congrès
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