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Auteur :  Mutaftschiev , Boyan Titre :  Surface des solides Couches minces. Croissance cristalline , Boyan Mutaftschiev Notes :  Référence de l'article : a245p1 Volume : base documentaire : TIP053WEB Publié dans : Techniques de l'ingénieur. Physique Chimie Date de publication : 1990/02/10 Cet article traite les phénomènes ayant lieu à l'interface entre un solide et son milieu, à l'équilibre et en cas de croissance du solide. Le trait commun est la rencontre, à l'interface, de deux flux de matière de sens opposés : l'un, constitué de molécules qui s'y déposent avant d'être incorporées dans le réseau cristallin, l'autre, de molécules qui quittent l'interface en direction du milieu. À l'équilibre, l'intensité des deux flux est égale et dépend de la cinétique interfaciale, elle-même régie par les propriétés des phases au voisinage immédiat de l'interface. À la sursaturation, représentée par la différence des potentiels chimiques dans les deux phases, le flux de croissance est prédominant, sans qu'il existe cependant une dépendance linéaire entre le flux net et la sursaturation, comme l'on aurait pu s'y attendre par analogie avec l'électrodynamique en assimilant l'interface à une résistance passive. La voie que nous nous proposons de suivre passe donc par la considération des équilibres à l'interface entre un cristal et son milieu, qui nous révèlent les mécanismes microscopiques à la saturation, avant d'aborder la cinétique interfaciale de croissance, dont la dépendance avec la sursaturation peut être assez complexe. Deux remarques découlent de cette procédure. - L'approche utilisée est exclusivement moléculaire-statistique. Par rapport à l'approche basée sur la thermodynamique classique et sur la mécanique des milieux continus NOZIÈRES (P.) - * , la méthode choisie a l'avantage de mieux visualiser les phénomènes physiques, au prix de quelques concessions à la rigueur mathématique. En outre, elle s'avère mieux adaptée au traitement des systèmes à énergie de surface élevée et fortement anisotrope, tel un cristal qui croît à partir de sa vapeur. - Il faut souligner que la cinétique globale de croissance dépend autant de la cinétique interfaciale que de la cinétique du transport de matière du milieu vers l'interface. Cependant, les mécanismes du transport dans le volume sont communs à d'autres procédés (génie chimique, combustion, etc.) et sont traités en détail par la mécanique des fluides, d'où notre choix de ne pas dépasser dans cet article le cadre des phénomènes interfaciaux. URL:  https://www.techniques-ingenieur.fr/base-documentaire/sciences-fondamentales-th8/etats-de-la-matiere-42109210/surface-des-solides-a245p1/ https://doi.org/10.51257/a-v1-a245p1   Exemplaires Pas de données exemplaires

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