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Djafari-Rouhani , Mehdi

Dkhissi , Ahmed

Mastail , Cédric

Landa , Georges

Hemeryck , Anne

Richard , Nicolas

Logiciel Hikad : modéliser l'organisation atomique durant la croissance de HfO sur silicium , Alain Esteve, Mehdi Djafari-Rouhani, Ahmed Dkhissi,... [et al.]

Référence de l'article : re123

Volume : base documentaire : TIP053WEB

Publié dans : Techniques de l'ingénieur. Physique Chimie

Date de publication : 2009/04/10

Nous décrivons ici la mise en œuvre d'une stratégie de modélisation multi-niveaux pour la simulation à l'échelle atomique des procédés en Micro et Nano-technologies. Cette stratégie multi-niveaux combine des calculs quantiques de type fonctionnelle de la densité électronique DFT ( Density Functional Theory ) avec de la simulation mésoscopique au travers d'une technique de « Monte Carlo cinétique ». Nous nous attachons plus particulièrement à détailler les étapes de construction d'un modèle de type « Monte Carlo cinétique » basé sur réseau et d'en souligner le caractère général pour la simulation procédé : - gestion d'un espace décrit par un réseau de sites ; - écriture des configurations ; - liste des mécanismes élémentaires ; - gestion du temps d'expérience. Ces éléments généraux sont systématiquement étayés par un exemple d'application sur la croissance des oxydes de grille pour la microélectronique « ultime » : la croissance par couche atomique ( ALD : Atomic Layer Deposition ) de l'oxyde d'Hafnium sur silicium.

https://www.techniques-ingenieur.fr/base-documentaire/sciences-fondamentales-th8/recherche-et-innovation-en-physique-chimie-42114210/logiciel-hikad-modeliser-l-organisation-atomique-durant-la-croissance-de-hfo-sur-silicium-re123/

https://doi.org/10.51257/a-v1-re123

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