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par auteur:
Esteve , Alain
Djafari-Rouhani , Mehdi
Dkhissi , Ahmed
Mastail , Cédric
Landa , Georges
Hemeryck , Anne
Richard , Nicolas
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Auteur :
Esteve , Alain
Djafari-Rouhani , Mehdi
Dkhissi , Ahmed
Mastail , Cédric
Landa , Georges
Hemeryck , Anne
Richard , Nicolas
Titre :
Logiciel Hikad : modéliser l'organisation atomique durant la croissance de HfO sur silicium , Alain Esteve, Mehdi Djafari-Rouhani, Ahmed Dkhissi,... [et al.]
Notes :
Référence de l'article : re123
Volume : base documentaire : TIP053WEB
Publié dans : Techniques de l'ingénieur. Physique Chimie
Date de publication : 2009/04/10
Nous décrivons ici la mise en œuvre d'une stratégie de modélisation multi-niveaux pour la simulation à l'échelle atomique des procédés en Micro et Nano-technologies. Cette stratégie multi-niveaux combine des calculs quantiques de type fonctionnelle de la densité électronique DFT ( Density Functional Theory ) avec de la simulation mésoscopique au travers d'une technique de « Monte Carlo cinétique ». Nous nous attachons plus particulièrement à détailler les étapes de construction d'un modèle de type « Monte Carlo cinétique » basé sur réseau et d'en souligner le caractère général pour la simulation procédé : - gestion d'un espace décrit par un réseau de sites ; - écriture des configurations ; - liste des mécanismes élémentaires ; - gestion du temps d'expérience. Ces éléments généraux sont systématiquement étayés par un exemple d'application sur la croissance des oxydes de grille pour la microélectronique « ultime » : la croissance par couche atomique ( ALD : Atomic Layer Deposition ) de l'oxyde d'Hafnium sur silicium.
URL:
https://www.techniques-ingenieur.fr/base-documentaire/sciences-fondamentales-th8/recherche-et-innovation-en-physique-chimie-42114210/logiciel-hikad-modeliser-l-organisation-atomique-durant-la-croissance-de-hfo-sur-silicium-re123/
https://doi.org/10.51257/a-v1-re123
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