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Auteur :  Cressler , John D. Niu , Guofu Titre :  Silicon-germanium heterojunction bipolar transistors , John D. Cressler, Guofu Niu Editeur :  Boston London , Artech House -- cop. 2003 Description :  1 vol. (xviii-570 p.) : ill. ; 24 cm ISBN:  1-580-53361-2 , rel. Notes :  Notes bibliogr. en fin de chapitre. Index. Sujet :  Bipolar transistors Germanium Transistors bipolaires Germanium   Exemplaires Site Emplacement Cote Type de prêt Statut   Ensea Archives ARCH-5571 Empruntable Disponible

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