Mon compte
Ma liste - 0
Catalogue
Ressources numériques
Nouveautés
Liens utiles
Mon compte
Recherche rapide
Recherche avancée
Recherche alphabétique
Historique
Information
Recherche
Auteur
Titre
Sujet
Titre de revue
Collection
Cotes BU
Cotes ENSEA
Cotes IUFM
Modifier la recherche
>
CERGY
Elargir la recherche
Parcourir le catalogue
par auteur:
Camassel , Jean
Contreras , Sylvie
Affichage MARC
Auteur :
Camassel , Jean
Contreras , Sylvie
Titre :
Matériaux semiconducteurs à grand gap : le carbure de silicium (SiC) , Jean Camassel, Sylvie Contreras
Notes :
Référence de l'article : e1990
Volume : base documentaire : TIP350WEB
Publié dans : Techniques de l'ingénieur. Électronique
Date de publication : 2012/08/10
D'une façon générale, le domaine d'application privilégié du carbure de silicium (SiC) est la distribution de l'énergie électrique avec une forte valeur ajoutée dans les composants de puissance. Les premières diodes Schottky 600 V sont apparues les premières sur le marché, suivies par des transistors MOS et JFET. Dans cet article, les différentes technologies de mises en œuvre (comme l'épitaxie, le dopage des couches, l'oxydation, la gravure ou encore le contactage) sont étudiées, l'état de l'art paru est également repris. L'article inclut de plus des applications électroniques récentes, comme la croissance de graphène sur SiC.
URL:
https://www.techniques-ingenieur.fr/base-documentaire/electronique-photonique-th13/microelectronique-dispositifs-technologies-et-circuits-42286210/materiaux-semiconducteurs-a-grand-gap-le-carbure-de-silicium-sic-e1990/
https://doi.org/10.51257/a-v2-e1990
Exemplaires
Pas de données exemplaires
Pour toute question,
contactez la bibliothèque
Horizon Information Portal 3.0© 2001-2019
SirsiDynix
Tous droits réservés.