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par auteur:
Camassel , Jean
Contreras , Sylvie
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Auteur :
Camassel , Jean
Contreras , Sylvie
Titre :
Matériaux semiconducteurs à grand gap : le carbure de silicium (SiC) , Jean Camassel, Sylvie Contreras
Notes :
Référence de l'article : e1990
Volume : base documentaire : TIP350WEB
Publié dans : Techniques de l'ingénieur. Électronique
Date de publication : 2012/08/10
D'une façon générale, le domaine d'application privilégié du carbure de silicium (SiC) est la distribution de l'énergie électrique avec une forte valeur ajoutée dans les composants de puissance. Les premières diodes Schottky 600 V sont apparues les premières sur le marché, suivies par des transistors MOS et JFET. Dans cet article, les différentes technologies de mises en œuvre (comme l'épitaxie, le dopage des couches, l'oxydation, la gravure ou encore le contactage) sont étudiées, l'état de l'art paru est également repris. L'article inclut de plus des applications électroniques récentes, comme la croissance de graphène sur SiC.
URL:
https://www.techniques-ingenieur.fr/base-documentaire/electronique-photonique-th13/microelectronique-dispositifs-technologies-et-circuits-42286210/materiaux-semiconducteurs-a-grand-gap-le-carbure-de-silicium-sic-e1990/
https://doi.org/10.51257/a-v2-e1990
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