Mon compte Ma liste - 0
	Catalogue   Ressources numériques   Nouveautés   Liens utiles   Mon compte

Recherche rapide Recherche avancée Recherche alphabétique Historique Information

Recherche  AuteurTitreSujetTitre de revueCollectionCotes BUCotes ENSEACotes IUFM       Modifier la recherche     > CERGY

Elargir la recherche         Sur le même sujet :     Physique     Photoémission     Électrocinétique (effets d'interface)     Manganèse     Silicium     Thèses et écrits académiques     Parcourir le catalogue     par auteur:      Brochier , Renaud , 1976-...      Hricovini , Karol , 19..-.... , professeur des universités      Université de Cergy-Pontoise , 1991-2019         Affichage MARC

Auteur :  Brochier , Renaud , 1976-... Hricovini , Karol , 19..-.... , professeur des universités Université de Cergy-Pontoise , 1991-2019 Titre :  Formation et structure électronique des interfaces manganèse sur la face (100) de l'arséniure d'indium et manganèse sur la face (100) hydrogenée du silicium , Renaud Brochier ; sous la dir. de Karol Nricovini Editeur :  [S.l.] , [s.n.] -- 2002 Description :  137 f. ; 30cm Notes :  Publication autorisée par le jury Thèse de doctorat Physique Cergy-Pontoise 2002 Nous avons d'abord étudié la surface propre InAs(100)-4x2/c(8x2) par STM et par la photoémission. Les mesures par STM nous ont permis de mettre en évidence le rôle des défauts dans la reconstruction de la surface. Des chaînes unidimensionnelles d'atomes de l'indium ont été observées dans la direction [110]. La distance entre les atomes dans les chaînes est de 3,9 Å. La périodicité de 3.9 Å a été confirmée par les mesures en photoémission angulaire. Nous avons ensuite étudié la formation de l'interface Mn/InAs(100)-4x2/c(8x2) par la photoémission de niveaux de cœur et de la bande de valence. Nous avons ainsi montré que pour des quantités faibles de Mn (inférieurs à 2 monocouches) déposées sur un substrat porté à 200ʻC, les atomes de manganèse diffusent à l'intérieur de la matrice de l'InAs et remplacent l'indium. Par cette technique du dépôt, un semi-conducteur magnétique peut être préparé dont le moment magnétique a été mesuré par XMCD. Notre dernière étude concerne la surface propre Si(100)-H et l'interface Mn/Si(100)-H. L'étude de l'interface Mn/Si(100)-H par photoémission a révélé un dépôt désordonné du Mn sur la couche de l'hydrogène, ainsi qu'une diffusion du manganèse entre l'H et le Si. In the first part we have studied InAs(100)-4x2/c(8x2) clean surface by STM and by photoemission. STM measurements reveal the role of defects in the reconstruction of the surface. One-dimensional indium chains have been observed in the [110] direction. Atomic distance in the chains is of 3.9 Å. The periodicity corresponding to 3.9 Å has been confirmed by angle resolved photoemission experiments. In the following, we have studied the formation of Mn/InAs(100)-4x2/c(8x2) interface by core-level and valence band photoemission. We have shown that for low Mn coverages (less than 2 monolayers) on the substrate heated to 200ʻC manganese atoms diffuse into the InAs substrate and replace indium atoms. By such a technique of deposition a diluted magnetic semiconductor can be prepared. We have measured its magnetic moment by XMCD. In the last part we have studied Si(100)-H clean surface and Mn/Si(100)-H interface formation. We observed a disordered deposition of Mn atoms on the hydrogen layer, as well as a diffusion of the manganese between the hydrogen layer and the substrate. Sujet :  Physique Photoémission Électrocinétique (effets d'interface) Manganèse Silicium Thèses et écrits académiques   Exemplaires Site Emplacement Cote Type de prêt Statut   Site de Neuville Réserve n°1 TS CERG2002 BRO Prêt Disponible Réserver

Pour toute question, contactez la bibliothèque

Horizon Information Portal 3.25_france_v1m© 2001-2019 SirsiDynix Tous droits réservés.