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par auteur:
Ginot , Nicolas
Batard , Christophe
Lahaye , Philippe
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Auteur :
Ginot , Nicolas
Batard , Christophe
Lahaye , Philippe
Titre :
MOSFET et IGBT : circuits de commande, sécurisation et protection du composant à semi-conducteur , Nicolas Ginot, Christophe Batard, Philippe Lahaye
Notes :
Référence de l'article : d3234
Volume : base documentaire : TIP301WEB
Publié dans : Techniques de l'ingénieur. Conversion de l'énergie électrique
Date de publication : 2017/08/10
Cet article s'intéresse aux circuits de commande évolués pour les composants de type MOSFET ou IGBT utilisés en électronique de puissance. Il aborde en détail, par une approche très pragmatique et proche de l'application, les méthodes de sécurisation et de protection des composants de puissance à semi-conducteur. Il est construit autour de quatre parties principales qui sont la transmission des ordres de commande, les structures des étages de pilotage de la grille, les méthodes de détection du courant de court-circuit, le mécanisme de protection par le blocage en douceur du composant de puissance et/ou par sa remise en conduction partielle.
URL:
https://www.techniques-ingenieur.fr/base-documentaire/energies-th4/composants-actifs-en-electronique-de-puissance-42245210/mosfet-et-igbt-circuits-de-commande-securisation-et-protection-du-composant-a-semi-conducteur-d3234/
https://doi.org/10.51257/a-v1-d3234
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